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AO4447A  与  IRF9317TRPBF  区别

型号 AO4447A IRF9317TRPBF
唯样编号 A36-AO4447A A-IRF9317TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 31 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 564 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@10V 6.6mΩ@16A,10V
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 8mΩ -
Qgd(nC) 17 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 180 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -17A 16A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 4580 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2820pF
Trr(ns) 32 -
Td(off)(ns) 1200 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 77 -
VGS(th) -1.6 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2820pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC
Coss(pF) 755 -
Qg*(nC) 41 -
库存与单价
库存 7,525 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.179
100+ :  ¥2.541
750+ :  ¥2.277
1,500+ :  ¥2.134
3,000+ :  ¥2.035
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4447A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -17A 3.1W 7mΩ@10V

¥3.179 

阶梯数 价格
20: ¥3.179
100: ¥2.541
750: ¥2.277
1,500: ¥2.134
3,000: ¥2.035
7,525 当前型号
RRH140P03GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

14A 2W 5mΩ 30V 2.5V SOP-8 -55°C~150°C

¥13.9329 

阶梯数 价格
20: ¥13.9329
50: ¥9.7358
100: ¥9.1321
300: ¥8.7392
500: ¥8.653
1,000: ¥8.5955
2,000: ¥8.5667
4,000: ¥8.5476
4,507 对比
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

¥2.376 

阶梯数 价格
30: ¥2.376
100: ¥1.826
1,250: ¥1.595
2,500: ¥1.518
2,599 对比
AO4447 AOS 功率MOSFET

±20V 7.5mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 15A SOIC-8 3.1W

暂无价格 0 对比
IRF9317TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 6.6mΩ@16A,10V P-Channel 30V 16A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

暂无价格 0 对比

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