| 型号 | AO4805 | SH8J66TB1 | ||||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-AO4805 | A33-SH8J66TB1-0 | ||||||||||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||||||
| 描述 | -30v,9a,18.5mohms,so-8 | |||||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||||
| Crss(pF) | 295 | - | ||||||||||||||||||||||||
| Td(off)(ns) | 24 | - | ||||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@10V | 18.5mΩ@9A,10V | ||||||||||||||||||||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | -30V | 4V | ||||||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 2W | ||||||||||||||||||||||||
| Qrr(nC) | 22 Ohms | - | ||||||||||||||||||||||||
| VGS(th) | -2.8 | - | ||||||||||||||||||||||||
| Qgd(nC) | 10 | - | ||||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 25V | - | ||||||||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||||||||||||||||
| Td(on)(ns) | 11 | - | ||||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SOP | ||||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | -9A | 9A | ||||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||||||
| Ciss(pF) | 2060 | - | ||||||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3000pF @ 10V | ||||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 35nC @ 5V | ||||||||||||||||||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||||||||||||||||||
| Trr(ns) | 30 | - | ||||||||||||||||||||||||
| Coss(pF) | 370 | - | ||||||||||||||||||||||||
| Qg*(nC) | 30* | - | ||||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 8,919 | 2,497 | ||||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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AO4805 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 25V -9A 2W 18mΩ@10V |
¥2.354
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8,919 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 22,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
¥14.0478
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2,497 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
¥14.0478
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1,604 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
¥23.9497
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100 | 对比 |