| 型号 | AO4805 | FDS4935BZ | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-AO4805 | A36-FDS4935BZ | ||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | ON Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Crss(pF) | 295 | - | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@10V | 22m Ohms@6.9A,10V | ||||||||||||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||||||||||||
| Qgd(nC) | 10 | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 25V | - | ||||||||||||||||
| Td(on)(ns) | 11 | - | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SOIC | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | -9A | 6.9A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| Ciss(pF) | 2060 | - | ||||||||||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||||||||||
| Trr(ns) | 30 | - | ||||||||||||||||
| Td(off)(ns) | 24 | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | -30V | 30V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 900mW | ||||||||||||||||
| Qrr(nC) | 22 Ohms | - | ||||||||||||||||
| VGS(th) | -2.8 | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||
| 系列 | - | PowerTrench® | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1360pF @ 15V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 40nC @ 10V | ||||||||||||||||
| Coss(pF) | 370 | - | ||||||||||||||||
| Qg*(nC) | 30* | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 8,919 | 1,387 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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AO4805 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 25V -9A 2W 18mΩ@10V |
￥2.354
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8,919 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 22,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
￥14.0478
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2,497 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
￥14.0478
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1,604 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
￥23.9497
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100 | 对比 |
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