AO4842 与 ZXMN3A04DN8TA 区别
| 型号 | AO4842 | ZXMN3A04DN8TA | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-AO4842 | A36-ZXMN3A04DN8TA | ||||||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | 41 | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21mΩ@10V | - | ||||||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 30mΩ | - | ||||||||||
| Qgd(nC) | 1.7 | - | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1890pF @ 15V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||||||||
| Td(on)(ns) | 4.5 | - | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 36.8nC @ 10V | ||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7.7A | 6.5A | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| Ciss(pF) | 373 | - | ||||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||||
| Trr(ns) | 10.5 | - | ||||||||||
| Td(off)(ns) | 14.9 | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.81W | ||||||||||
| Qrr(nC) | 4.5 | - | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 20mΩ@12.6A,10V | ||||||||||
| VGS(th) | 2.6 | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||||||
| Coss(pF) | 67 | - | ||||||||||
| Qg*(nC) | 3.5 | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,383 | 500 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.0076
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2,383 | 当前型号 | ||||||||||||||
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NTMD4N03R2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 37,500 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||||
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SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
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1,990 | 对比 | ||||||||||||||
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SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
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1,452 | 对比 | ||||||||||||||
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SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥8.0438
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100 | 对比 |
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