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AO4882  与  FDS6990AS  区别

型号 AO4882 FDS6990AS
唯样编号 A36-AO4882 A3t-FDS6990AS
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 22 mOhm Dual PowerTrench SyncFET - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 11 -
功率 - 9/10W
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@10V 22 毫欧 @ 7.5A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 27mΩ -
Qgd(nC) 1.1 -
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 4 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 8A 7.5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 415 -
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 550pF @ 15V
Trr(ns) 12.5 -
Td(off)(ns) 15 -
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 900mW
Qrr(nC) 3.5 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel 逻辑电平门
系列 - PowerTrench®,SyncFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 550pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 5V
Coss(pF) 112 -
Qg*(nC) 3 -
库存与单价
库存 424 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.727
100+ :  ¥1.375
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4882 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 40V 20V 8A 2W 19mΩ@10V

¥1.727 

阶梯数 价格
30: ¥1.727
100: ¥1.375
424 当前型号
DMN4026SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 40V 7A

¥2.519 

阶梯数 价格
20: ¥2.519
100: ¥1.936
1,250: ¥1.694
2,500: ¥1.617
2,796 对比
FDS6990AS ON Semiconductor 功率MOSFET

22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO

暂无价格 0 对比

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