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AO6601  与  FDC6333C  区别

型号 AO6601 FDC6333C
唯样编号 A36-AO6601 A36-FDC6333C
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.15W 700mW
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs 12V -
FET类型 N-Channel N+P-Channel
封装/外壳 TSOP-6 SuperSOT
连续漏极电流Id 3.4A 2.5A/2A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 282pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.6nC @ 10V
导通电阻Rds(On) 60mΩ@3.4A,10V 95m Ohms@2.5A,10V
库存与单价
库存 6,070 2,809
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.0803
200+ :  ¥0.7449
1,500+ :  ¥0.6773
3,000+ :  ¥0.6318
30+ :  ¥1.742
100+ :  ¥1.404
750+ :  ¥1.2506
1,500+ :  ¥1.1791
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO6601 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V 12V 3.4A 1.15W 60mΩ@3.4A,10V -55°C~150°C

¥1.0803 

阶梯数 价格
50: ¥1.0803
200: ¥0.7449
1,500: ¥0.6773
3,000: ¥0.6318
6,070 当前型号
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel

暂无价格 30,000 对比
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

暂无价格 6,000 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A

¥1.742 

阶梯数 价格
30: ¥1.742
100: ¥1.404
750: ¥1.2506
1,500: ¥1.1791
2,809 对比
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

¥1.1089 

阶梯数 价格
50: ¥1.1089
200: ¥0.7657
1,500: ¥0.6942
2,044 对比
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel

暂无价格 13 对比

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