AOB292L 与 IRFS4010TRLPBF 区别
| 型号 | AOB292L | IRFS4010TRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AOB292L | A-IRFS4010TRLPBF |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 100 V 375 W 143 nC Hexfet Power Mosfet - D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 32 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.1mΩ@20A,10V | 4.7mΩ@106A,10V |
| Qgd(nC) | 13.5 | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| Td(on)(ns) | 20 | - |
| 封装/外壳 | TO-263 | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 105A | 180A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 6775 | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 9575pF @ 50V |
| Trr(ns) | 50 | - |
| Td(off)(ns) | 48 | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 300W | 375W(Tc) |
| Qrr(nC) | 380 | - |
| VGS(th) | 3.4 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 9575pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 215nC @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 215nC @ 10V |
| Coss(pF) | 557 | - |
| Qg*(nC) | 90* | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 800 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPB042N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IRFS4010TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@106A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 800 | 对比 |
|
BUK765R0-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 349W -55°C~175°C ±20V 100V 120A |
暂无价格 | 600 | 对比 |
|
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 405W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 30 | 对比 |
|
IRF100S201 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB |
暂无价格 | 10 | 对比 |