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AOD2610E  与  IRFR7746TRPBF  区别

型号 AOD2610E IRFR7746TRPBF
唯样编号 A36-AOD2610E A-IRFR7746TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Ch 75 V 56 A 11.2 Ohm 59 nC Surface Mount HEXFET Mosfet - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 28 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@20A,10V 11.2mΩ@35A,10V
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 13.3mΩ -
Qgd(nC) 3.5 -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
封装/外壳 TO-252 D-PAK(TO-252AA)
连续漏极电流Id 46A 59A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 1100 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3107pF @ 25V
Trr(ns) 19 -
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 59.5W 99W(Tc)
Qrr(nC) 65 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3107pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 89nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 89nC @ 10V
Coss(pF) 300 -
Qg*(nC) 7 -
库存与单价
库存 34,443 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.002
100+ :  ¥1.54
1,250+ :  ¥1.342
2,500+ :  ¥1.265
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2610E AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥2.002 

阶梯数 价格
30: ¥2.002
100: ¥1.54
1,250: ¥1.342
2,500: ¥1.265
34,443 当前型号
AOD2610 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W

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IRFR3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@46A,10V N-Channel 75V 80A D-Pak

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AUIRLR3705Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IRFR7746TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11.2mΩ@35A,10V N-Channel 75V 59A D-PAK(TO-252AA)

暂无价格 0 对比

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