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AOD2816  与  IPD50N08S4-13  区别

型号 AOD2816 IPD50N08S4-13
唯样编号 A36-AOD2816 A-IPD50N08S4-13
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 9 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@10V 11.2mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 3.6ns
Rds On(Max)@4.5V mΩ -
Qg-栅极电荷 - 30nC
Qgd(nC) 3.2 -
栅极电压Vgs 20V 20V
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id 35A 50A
工作温度 - -55°C~175°C
Ciss(pF) 1109 -
配置 - Single
长度 - 6.5mm
下降时间 - 11.8ns
Schottky Diode No -
高度 - 2.3mm
Trr(ns) 30 -
Td(off)(ns) 17 -
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 53.5W 72W
Qrr(nC) 122 -
VGS(th) 3.5 -
典型关闭延迟时间 - 6.4ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - XPD50N08
典型接通延迟时间 - 5ns
Coss(pF) 154 -
Qg*(nC) 5 -
库存与单价
库存 2,341 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.498
100+ :  ¥2.904
1,250+ :  ¥2.651
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2816 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 80V 20V 35A 53.5W 15mΩ@10V

¥3.498 

阶梯数 价格
20: ¥3.498
100: ¥2.904
1,250: ¥2.651
2,341 当前型号
AOD4180 AOS  数据手册 功率MOSFET

±25V 14mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 80V 54A TO252 54W

暂无价格 0 对比
AOD4182 AOS 功率MOSFET

8.5A(Ta),53A(Tc) N-Channel ±25V 15.5 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.5W(Ta),100W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 80V

暂无价格 0 对比
IPD50N08S413ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N08S4-13_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFR3418PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD50N08S4-13 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N08S413ATMA1_80V 50A 11.2mΩ 20V 72W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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