AOD2922 与 DMN10H170SK3-13 区别
| 型号 | AOD2922 | DMN10H170SK3-13 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AOD2922 | A36-DMN10H170SK3-13 | ||||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | 2.5 | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 140mΩ@10V | - | ||||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 176mΩ | - | ||||||||
| Qgd(nC) | 0.8 | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1167 pF @ 25 V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V | ||||||||
| Td(on)(ns) | 5 | - | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 9.7 nC @ 10 V | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | 12A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| Ciss(pF) | 250 | - | ||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||
| Trr(ns) | 19 | - | ||||||||
| Td(off)(ns) | 19 | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 17W | 42W(Tc) | ||||||||
| Qrr(nC) | 52 | - | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 140mΩ@5A,10V | ||||||||
| VGS(th) | 2.7 | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||
| Coss(pF) | 19 | - | ||||||||
| Qg*(nC) | 1.8 | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 1,323 | 52 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V |
¥1.2529
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1,323 | 当前型号 | ||||||||
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DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 12A(Tc) |
¥1.43
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52 | 对比 | ||||||||
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AUIRLR3410TR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 17A 105mΩ 16V 79W N-Channel 100V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AUIRLR3410TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |