AON7408 与 BSZ040N04LSGATMA1 区别
| 型号 | AON7408 | BSZ040N04LSGATMA1 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AON7408-2 | A-BSZ040N04LSGATMA1 | ||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | 41 | - | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 2.1W(Ta),69W(Tc) | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@10V | - | ||
| ESD Diode | No | - | ||
| Rds On(Max)@4.5V | 32mΩ | - | ||
| Qgd(nC) | 1.6 | - | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 5100pF @ 20V | ||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||
| Td(on)(ns) | 4.3 | - | ||
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | ||
| 连续漏极电流Id | 18A | - | ||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 64nC @ 10V | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| Ciss(pF) | 373 | - | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 4 毫欧 @ 20A,10V | ||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V | ||
| Schottky Diode | No | - | ||
| Trr(ns) | 10.5 | - | ||
| Td(off)(ns) | 15.8 | - | ||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 11W | - | ||
| Qrr(nC) | 4.5 | - | ||
| VGS(th) | 2.6 | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2V @ 36uA | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 18A(Ta),40A(Tc) | ||
| 漏源电压(Vdss) | - | 40V | ||
| Coss(pF) | 67 | - | ||
| Qg*(nC) | 7.1 | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 734 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
￥0.5748
|
734 | 当前型号 | ||||
|
DMN3024SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±25V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 7.5A(Ta) |
￥0.9394
|
1,980 | 对比 | ||||
|
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRFHM8342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRFHM8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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