AON7422G 与 RQ3E180GNTB 区别
| 型号 | AON7422G | RQ3E180GNTB | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-AON7422G | A33-RQ3E180GNTB-0 | ||||||||||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Crss(pF) | 210 | - | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.6mΩ@10V | 4.3mΩ@18A,10V | ||||||||||||||
| ESD Diode | Yes | - | ||||||||||||||
| 上升时间 | - | 6.9ns | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 7.2mΩ | - | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 22.4nC | ||||||||||||||
| Qgd(nC) | 12 | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V | ||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 17S | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | HSMT-8 | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 32A | 18A | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| Ciss(pF) | 2300 | - | ||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||
| 下降时间 | - | 10.2ns | ||||||||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||||||||
| Trr(ns) | 11 | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 28W | 2W | ||||||||||||||
| Qrr(nC) | 15 | - | ||||||||||||||
| VGS(th) | 2.4 | - | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 56.8ns | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 16.5ns | ||||||||||||||
| Coss(pF) | 240 | - | ||||||||||||||
| Qg*(nC) | 20 | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 4,933 | 104 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AON7422G | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V |
￥1.551
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4,933 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.7203
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.0064
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2,941 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.0151
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2,775 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 17.6A(Ta) |
￥1.408
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2,315 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.0151
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104 | 对比 |
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