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AON7522E  与  RQ3E150BNTB  区别

型号 AON7522E RQ3E150BNTB
唯样编号 A36-AON7522E A32-RQ3E150BNTB-4
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V 5.3mΩ@15A,10V
ESD Diode Yes -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 31W 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id 34A 15A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 14,439 750
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
40+ :  ¥1.43
100+ :  ¥1.144
1,250+ :  ¥1.0164
2,500+ :  ¥0.9592
5,000+ :  ¥0.9097
50+ :  ¥5.1752
250+ :  ¥4.0252
500+ :  ¥3.817
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.144
1,250: ¥1.0164
2,500: ¥0.9592
5,000: ¥0.9097
14,439 当前型号
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥6.9296 

阶梯数 价格
10: ¥6.9296
100: ¥4.1095
500: ¥3.626
1,000: ¥3.3038
3,000: ¥2.7395
3,000 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥6.9296 

阶梯数 价格
10: ¥6.9296
100: ¥4.1095
500: ¥3.626
1,000: ¥3.3038
3,000: ¥2.7395
3,000 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥6.6721 

阶梯数 价格
10: ¥6.6721
100: ¥3.9567
500: ¥3.4912
1,000: ¥3.1808
3,000: ¥2.6379
3,000 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
50: ¥1.0747
2,000: ¥0.9922
2,315 对比
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥5.1752 

阶梯数 价格
50: ¥5.1752
250: ¥4.0252
500: ¥3.817
750 对比

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