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AON7534  与  RQ3E180GNTB  区别

型号 AON7534 RQ3E180GNTB
唯样编号 A36-AON7534 A36-RQ3E180GNTB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 23W 2W
上升时间 - 6.9ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 56.8ns
正向跨导 - 最小值 - 17S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP HSMT-8
连续漏极电流Id 30A 18A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 10.2ns
典型接通延迟时间 - 16.5ns
导通电阻Rds(On) 5mΩ@20A,10V 4.3mΩ@18A,10V
库存与单价
库存 19,462 2,941
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.43
100+ :  ¥1.0985
1,250+ :  ¥0.9152
2,500+ :  ¥0.8333
5,000+ :  ¥0.7722
30+ :  ¥2.3712
100+ :  ¥1.9019
750+ :  ¥1.7043
1,500+ :  ¥1.6055
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.0985
1,250: ¥0.9152
2,500: ¥0.8333
5,000: ¥0.7722
19,462 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.3712 

阶梯数 价格
30: ¥2.3712
100: ¥1.9019
750: ¥1.7043
1,500: ¥1.6055
2,941 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.0151 

阶梯数 价格
40: ¥4.0151
50: ¥3.6605
100: ¥3.0568
300: ¥2.664
500: ¥2.5873
1,000: ¥2.5202
2,775 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.664 

阶梯数 价格
40: ¥1.664
50: ¥1.2701
2,000: ¥1.1726
2,315 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 2,000 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.0151 

阶梯数 价格
40: ¥4.0151
50: ¥3.6605
74 对比

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