AON7534 与 RQ3E180GNTB 区别
| 型号 | AON7534 | RQ3E180GNTB | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-AON7534 | A36-RQ3E180GNTB | ||||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 23W | 2W | ||||||||||||||||||
| 上升时间 | - | 6.9ns | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 22.4nC | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 56.8ns | ||||||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 17S | ||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | HSMT-8 | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 30A | 18A | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||||||
| 下降时间 | - | 10.2ns | ||||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 16.5ns | ||||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 5mΩ@20A,10V | 4.3mΩ@18A,10V | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 24,286 | 2,941 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AON7534 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.464
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24,286 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.1888
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2,941 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.0151
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2,775 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥1.968
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2,158 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.0151
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54 | 对比 |
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