BC856AS-7 与 BC856BS,135 区别
| 型号 | BC856AS-7 | BC856BS,135 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-BC856AS-7 | A-BC856BS,135 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | BC856AS Series 65 V 100 mA Dual PNP SMT Small Signal Transistor - SOT-363 | BC856BS Series 65 V 100 mA PNP/PNP General-Purpose Transistor - SOT-363 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||||||
| 特征频率fT | 100MHz | 100MHz | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -650mV | -300mV | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||
| VCBO | -80V | -80V | ||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||
| VEBO | -5V | -6V | ||||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||||
| 集电极连续电流 | -100mA | -100mA | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 125 | 200 | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -65V | -65V | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 7,184 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BC856AS-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -65V -100mA -650mV 125 100MHz PNP |
￥0.3627
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7,184 | 当前型号 | ||||||||||
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BC856S,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -65V -100mA -300mV 110 100MHz PNP |
暂无价格 | 3,010 | 对比 | ||||||||||
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BC 856S H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW -65V -100mA -650mV 200 250MHz PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BC856BS,135 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -65V -100mA -300mV 200 100MHz 车规 PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BCM 856S H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW -65V -100mA -650mV 200 250MHz PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BCM 856S H6433 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW -65V -100mA -650mV 200 250MHz 车规 PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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