BSS138K 与 RK7002BT116 区别
| 型号 | BSS138K | RK7002BT116 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BSS138K | A-RK7002BT116 |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 50 V Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 350mW(Ta) | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 200mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.6 欧姆 @ 50mA,5V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 15pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST3 |
| 连续漏极电流Id | 220mA(Ta) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 2.4 欧姆 @ 250mA,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,2.5V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 2.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 58pF | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 50V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 350mW(Ta) | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.3V @ 1mA |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 58pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.4nC @ 10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 250mA(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.4nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138K | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
N-Channel 50V 220mA(Ta) ±12V 350mW(Ta) 1.6 Ohms@50mA,5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1.6 欧姆 @ 50mA,5V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||
|
RK7002BT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 SST3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
RUC002N05T116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 200mW(Ta) 2.2Ω@200mA,4.5V 150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
RUC002N05T116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 200mW(Ta) 2.2Ω@200mA,4.5V 150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.2A |
￥0.117
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
