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CSD16406Q3  与  IRFHM8228TRPBF  区别

型号 CSD16406Q3 IRFHM8228TRPBF
唯样编号 A36-CSD16406Q3 A-IRFHM8228TRPBF
制造商 TI Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 25 V 19A(Ta),60A(Tc) 2.7W(Ta) 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) Single N-Channel 25 V 5.2 mO 18 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.2mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 25V
Pd-功率耗散(Max) - 2.8W(Ta),34W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 19A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1667pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1667pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
库存与单价
库存 2,866 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.169
100+ :  ¥3.465
1,250+ :  ¥3.157
2,500+ :  ¥3.025
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD16406Q3 TI  数据手册 未分类

¥4.169 

阶梯数 价格
20: ¥4.169
100: ¥3.465
1,250: ¥3.157
2,500: ¥3.025
2,866 当前型号
IRFHM8228TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),34W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 5.2mΩ@20A,10V N-Channel 25V 19A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
FDS8896 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

15A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 6mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 15A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS8896 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

15A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 6mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 15A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
SIS430DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

35A(Tc) N-Channel 5.1 mOhms @ 20A,10V 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 25V

暂无价格 0 对比

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