CSD17579Q5A 与 SISA18ADN-T1-GE3 区别
| 型号 | CSD17579Q5A | SISA18ADN-T1-GE3 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-CSD17579Q5A | A-SISA18ADN-T1-GE3 | ||||||
| 制造商 | TI | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Ta） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-VSONP（5x6） | SiSA18ADN Series 30 V 38.3 A 7.5 mOhm N-Channel MOSFET - PowerPAK® 1212-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | PowerPAK® 1212-8 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 38.3A(Tc) | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7.5 mOhms @ 10A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.2W(Ta),19.8W(Tc) | ||||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V | ||||||
| Vgs(th) | - | 2.4V @ 250uA | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,738 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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CSD17579Q5A | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥2.2
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1,738 | 当前型号 | |||||||||
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SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
38.3A(Tc) N-Channel 7.5 mOhms @ 10A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
38.3A(Tc) N-Channel 7.5 mOhms @ 10A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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