CSD18533Q5A 与 SIR662DP-T1-GE3 区别
| 型号 | CSD18533Q5A | SIR662DP-T1-GE3 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-CSD18533Q5A | A-SIR662DP-T1-GE3 | ||||||
| 制造商 | TI | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON | MOSFET | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 宽度 | - | 5.15 mm | ||||||
| 零件号别名 | - | SIR662DP-GE3 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.7mΩ | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 6.25W(Ta),104W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | 8-VSONP(5x6) | SOIC-8 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 60A | ||||||
| 系列 | - | SIR | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||
| 长度 | - | 6.15 mm | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4365pF @ 30V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 96nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||
| 高度 | - | 1.04 mm | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,295 | 55 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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CSD18533Q5A | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-VSONP(5x6) |
￥3.883
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2,295 | 当前型号 | ||||||||
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BSC076N06NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 50A 7.6mΩ@50A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-5 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSC067N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 50A 6.7mΩ 20V 69W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 55 | 对比 | ||||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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