DMC3021LSD-13 与 SH8M14TB1 区别
| 型号 | DMC3021LSD-13 | SH8M14TB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMC3021LSD-13-1 | A-SH8M14TB1 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 功率-最大值 | - | 2W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 21mΩ@7A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 767pF @ 10V | 630pF @ 10V |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 16.1nC @ 10V | - |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOP |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 8.5A,7A | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA |
| FET功能 | - | 逻辑电平门 |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 21 毫欧 @ 9A,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 9A,7A |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 8.5nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8.5A,7A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SH8M14TB1 | ROHM Semiconductor | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N+P-Channel 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
AO4627 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 4.5A 2W 50mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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