DMC3025LSD-13 与 AO4616 区别
| 型号 | DMC3025LSD-13 | AO4616 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMC3025LSD-13 | A-AO4616 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Crss(pF) | - | 82 | ||||||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@7.4A,10V | 20mΩ@8A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 28mΩ | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W | 2W | ||||||||||||||
| Qrr(nC) | - | 18 | ||||||||||||||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||||||||||||||
| Qgd(nC) | - | 3 | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SO | SO-8 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 6.5A,4.2A | 8.5A | ||||||||||||||
| Ciss(pF) | - | 740 | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 501pF @ 15V | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.8nC @ 10V | - | ||||||||||||||
| Trr(ns) | - | 8 | ||||||||||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||||||||||
| Qg*(nC) | - | 7.5 | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 7,162 | 6,000 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@7.4A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO N+P-Channel 30V 6.5A,4.2A |
￥0.8651
|
7,162 | 当前型号 | ||||||||||
|
AO4616 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥3.6192
|
6,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO4616 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRF9389TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 27mΩ@6.8A,10V 2W N+P-Channel 30V 6.8A,4.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AUIRF7309QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 4A,3A 50mΩ@2.4A,10V 1.4W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AO4627 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 4.5A 2W 50mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
