DMG301NU-13 与 FDV301N 区别
| 型号 | DMG301NU-13 | FDV301N | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMG301NU-13 | A36-FDV301N | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 320mW(Ta) | 350mW(Ta) | ||||||||||||||
| 功率 | - | 350mW(Ta) | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 25V | 25V | ||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 4Ω@400mA,4.5V | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 27.9 pF @ 10 V | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 8V | ±8V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.36 nC @ 4.5 V | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 260mA(Ta) | 220mA(Ta) | ||||||||||||||
| 驱动电压 | 2.7V,4.5V | - | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.06V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9.5pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.7nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.7V,4.5V | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.06V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9.5pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.7nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 2,982 | 132,146 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 320mW(Ta) 8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 25V 260mA(Ta) |
￥0.8996
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2,982 | 当前型号 | ||||||||||
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FDV301N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 4Ω@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 25V 0.5A 220mA(Ta) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 |
￥0.222
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132,146 | 对比 | |||||||||||
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FDV301N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 4Ω@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 25V 0.5A 220mA(Ta) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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FDV301N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 4Ω@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 25V 0.5A 220mA(Ta) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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FDV301N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 4Ω@400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 25V 0.5A 220mA(Ta) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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