DMG3402L-7 与 IRLML6346TRPBF 区别
| 型号 | DMG3402L-7 | IRLML6346TRPBF | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMG3402L-7 | A-IRLML6346TRPBF | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 63mΩ@3.4A,4.5V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 1.3W(Ta) | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 52mΩ@4A,10V | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 464 pF @ 15 V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V | ||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 4.5V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 11.7 nC @ 10 V | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A(Ta) | 3.4A | ||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 24V | ||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||
| 驱动电压 | 2.5V,10V | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 270pF @ 24V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.9nC @ 4.5V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 270pF | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.9nC | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 42,114 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
￥0.6019
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42,114 | 当前型号 | ||||||||||
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FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.9383
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8,844 | 对比 | |||||||||||
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AO3418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.6853
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4,269 | 对比 | ||||||||||
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AO3424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.8448
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270 | 对比 | ||||||||||
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IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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