DMG3414U-7 与 RUR020N02TL 区别
| 型号 | DMG3414U-7 | RUR020N02TL | ||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMG3414U-7 | A33-RUR020N02TL-2 | ||||||||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 20 V 2.5 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3 | RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3 | ||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 25mΩ | 105mΩ@2A,4.5V | ||||||||||||||||||||||
| 上升时间 | 8.3ns | - | ||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 780mW | 540mW(Ta) | ||||||||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 9.6nC | - | ||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 500mV | ±10V | ||||||||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 40.1ns | - | ||||||||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | TSMT | ||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.2A | 2A | ||||||||||||||||||||||
| 系列 | DMG3414 | - | ||||||||||||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 900mV @ 250µA | 1V @ 1mA | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 829.9pF @ 10V | 180pF @ 10V | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.6nC @ 4.5V | 2nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 1.5V,4.5V | ||||||||||||||||||||||
| 下降时间 | 9.6ns | - | ||||||||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 8.1ns | - | ||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 5,663 | 19,414 | ||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 780mW 25mΩ 20V 500mV |
￥0.6193
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5,663 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
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105,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥0.9933
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24,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
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19,414 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI3420A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C 6A 28mΩ@5A,4.5V 20V 1.25W ±10V N-Channel |
￥0.226
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12,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
|
5,314 | 对比 |
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