DMG6402LVT-7 与 STT6N3LLH6 区别
| 型号 | DMG6402LVT-7 | STT6N3LLH6 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMG6402LVT-7-0 | A3-STT6N3LLH6 | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26 | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ | - | ||||
| 上升时间 | 6.2ns | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.75W | - | ||||
| Qg-栅极电荷 | 11.4nC | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 13.9ns | - | ||||
| 封装/外壳 | TSOT-26 | SOT | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 6A | - | ||||
| 系列 | DMG6402 | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 498pF @ 15V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.4nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 下降时间 | 2.8ns | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 3.4ns | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 9,795 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
￥0.3978
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9,795 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO6424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
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2,979 | 对比 | ||||||||||||
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STT6N3LLH6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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STT6N3LLH6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRLMS2002TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 30mΩ@6.5A,4.5V N-Channel 20V 6.5A Micro6™(SOT23-6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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