DMG7430LFG-7 与 AON7506 区别
| 型号 | DMG7430LFG-7 | AON7506 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMG7430LFG-7 | A36-AON7506 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2.2W | 20.5W | ||||||||||||||
| 上升时间 | 21.2ns | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 26.7nC | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 2.5V | ±20V | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 22.3ns | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerDI | DFN 3x3 EP | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10.5A | 12A | ||||||||||||||
| 系列 | DMG7430 | - | ||||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||||
| 配置 | SingleTripleSourceQuadDrain | - | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1281pF @ 15V | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26.7nC @ 10V | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||
| 下降时间 | 5.1ns | - | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 5.2ns | - | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 11mΩ | 9.8mΩ@12A,10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 5,138 | 6,779 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
￥0.8954
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5,138 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.0384
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6,779 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥6.1998
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2,980 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.387
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2,881 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7430LFGQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 10.5A(Ta) 车规 |
￥0.8206
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1,841 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.3382
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797 | 对比 |
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