DMN1019USN-7 与 DMN1019USN-13 区别
| 型号 | DMN1019USN-7 | DMN1019USN-13 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN1019USN-7-1 | A36-DMN1019USN-13 | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SC-59-3 | SC-59-3 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9.3A(Ta) | 9.3A(Ta) | ||||||||||||
| 驱动电压 | 1.2V,2.5V | 1.2V,2.5V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 12V | 12V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 680mW(Ta) | 680mW(Ta) | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 10mΩ@9.7A,4.5V | 10mΩ@9.7A,4.5V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2426 pF @ 10 V | 2426 pF @ 10 V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 50.6 nC @ 8 V | 50.6 nC @ 8 V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 226 | 5,864 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 680mW(Ta) ±8V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 12V 9.3A(Ta) |
￥0.6027
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226 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 680mW(Ta) ±8V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 12V 9.3A(Ta) |
￥1.0494
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5,864 | 对比 |
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