DMN10H170SK3-13 与 STD6NF10T4 区别
| 型号 | DMN10H170SK3-13 | STD6NF10T4 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN10H170SK3-13 | A3-STD6NF10T4 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 | MOSFET N-CH 100V 6A DPAK | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252-3 | ||||||
| 功率耗散Pd | 42W(Tc) | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 12A(Tc) | - | ||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 140mΩ@5A,10V | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1167 pF @ 25 V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 9.7 nC @ 10 V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,778 | 2,500 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 5 - 7天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 12A(Tc) |
￥1.562
|
1,778 | 当前型号 | ||||||||||
|
STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
|
|
STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥4.576
|
2,500 | 对比 | ||||||||||
|
IRFR120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
|
AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V |
￥2.068
|
706 | 对比 | ||||||||||
|
|
AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V |
￥1.1633
|
283 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
