DMN10H220LQ-13 与 IRLML0100TRPBF 区别
| 型号 | DMN10H220LQ-13 | IRLML0100TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN10H220LQ-13 | A-IRLML0100TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 | Single HexFet 100 V 1.3 W 2.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 220mΩ@1.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | 1.3W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 220mΩ@1.6A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 401 pF @ 25 V | - |
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 8.3 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 1.6A(Ta) | 1.6A |
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN10H220LQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.3W(Ta) ±16V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 1.6A(Ta) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLML0100TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 N-Channel 220mΩ@1.6A,10V 1.3W -55°C~150°C ±16V 100V 1.6A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
DMN10H220LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
220mΩ@1.6A,10V 车规 ±16V SOT-23 -55°C~150°C 1.6A 100V 1.3W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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