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DMN2056U-7  与  DMN2075U-7  区别

型号 DMN2056U-7 DMN2075U-7
唯样编号 A36-DMN2056U-7 A36-DMN2075U-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 数字晶体管 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 38m Ohms@3.6A,4.5V 25mΩ
上升时间 - 9.8ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 940mW 800mW
栅极电压Vgs ±8V 8V
典型关闭延迟时间 - 28.1ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 4A(Ta) 4.2A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMN2075
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 339pF @ 10V 594.3pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.3nC @ 4.5V 7nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 - 6.7ns
典型接通延迟时间 - 7.4ns
库存与单价
库存 16,219 40,214
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
110+ :  ¥0.4979
200+ :  ¥0.3211
1,500+ :  ¥0.2795
120+ :  ¥0.4446
200+ :  ¥0.286
3,000+ :  ¥0.255
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2056U-7 Diodes Incorporated  数据手册 数字晶体管

¥0.4979 

阶梯数 价格
110: ¥0.4979
200: ¥0.3211
1,500: ¥0.2795
16,219 当前型号
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
200: ¥0.2613
3,000: ¥0.2325
94,604 对比
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 800mW 25mΩ 20V 8V

¥0.4446 

阶梯数 价格
120: ¥0.4446
200: ¥0.286
3,000: ¥0.255
40,214 对比
DMN2056U-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 940mW ±8V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 4A(Ta)

¥0.4953 

阶梯数 价格
110: ¥0.4953
500: ¥0.4511
2,500: ¥0.4173
5,000: ¥0.3887
9,906 对比
DMN2075UDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 500mW(Ta) ±8V SOT-363 -55℃~150℃(TJ) 20V 2.8A(Ta)

¥0.7357 

阶梯数 价格
70: ¥0.7357
200: ¥0.5659
3,000: ¥0.5419
3,320 对比
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 800mW 25mΩ 20V 8V

暂无价格 0 对比

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