DMN2058U-7 与 DMG3420U-7 区别
| 型号 | DMN2058U-7 | DMG3420U-7 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN2058U-7 | A-DMG3420U-7 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35mΩ@6A,10V | 29mΩ@6A,10V | ||||||
| 正向跨导-最小值 | - | 9 S | ||||||
| 上升时间 | - | 8.3ns | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 5.4nC | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 4.6A(Ta) | 5.47A | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,10V | 1.8V,10V | ||||||
| 下降时间 | - | 5.3ns | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 281pF @ 10V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.13W | 740mW | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 21.6ns | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 系列 | - | DMG3420 | ||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 281pF @ 10V | 434.7pF @ 10V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.7nC @ 10V | 5.4nC @ 4.5V | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 6.5ns | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.7nC @ 10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 3,230 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN2058U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.13W -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 20V 4.6A(Ta) 35mΩ@6A,10V |
￥0.507
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3,230 | 当前型号 | ||||||||
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DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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