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DMN2058UW-7  与  DMN2065UW-7  区别

型号 DMN2058UW-7 DMN2065UW-7
唯样编号 A36-DMN2058UW-7 A36-DMN2065UW-7-2
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 N-Channel 20 V 56 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 56mΩ@2A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 430mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 42mΩ@3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 281 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 7.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-323 SOT-323
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.5A(Ta) 2.8A
驱动电压 1.8V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 400pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.4nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.5V,4.5V
库存与单价
库存 24,923 53
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5984
200+ :  ¥0.4563
1,500+ :  ¥0.3965
3,000+ :  ¥0.351
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2058UW-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 500mW(Ta) ±12V SOT-323 -55°C~150°C(TJ) 20V 3.5A(Ta)

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
3,000: ¥0.351
24,923 当前型号
DMN2058UW-13 Diodes Incorporated 通用MOSFET

N-Channel 500mW(Ta) ±12V SOT-323 -55°C~150°C(TJ) 20V 3.5A(Ta)

¥0.4862 

阶梯数 价格
110: ¥0.4862
500: ¥0.442
2,500: ¥0.4095
5,000: ¥0.3822
5,141 对比
DMN2065UW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 430mW(Ta) 56mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 20V 2.8A

暂无价格 53 对比
DMN2065UW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 430mW(Ta) 56mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 20V 2.8A

暂无价格 1 对比
DMN2065UW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 430mW(Ta) 56mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 20V 2.8A

暂无价格 0 对比
DMN2065UW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 430mW(Ta) 56mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 20V 2.8A

暂无价格 0 对比

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