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DMN3016LFDE-7  与  DMN3016LFDE-13  区别

型号 DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-13
唯样编号 A36-DMN3016LFDE-7 A36-DMN3016LFDE-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 30 V 12 mO 25.1 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - UDFN2020-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 730mW(Ta) 730mW(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 UDFN UDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 10A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1415pF @ 15V 1415pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.1nC @ 10V 25.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 12mΩ@11A,10V 12mΩ@11A,10V
库存与单价
库存 220 63
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.664
100+ :  ¥1.326
40+ :  ¥1.508
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 730mW(Ta) 12mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) UDFN N-Channel 30V 10A

¥1.664 

阶梯数 价格
40: ¥1.664
100: ¥1.326
220 当前型号
DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 730mW(Ta) 12mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) UDFN N-Channel 30V 10A

¥1.508 

阶梯数 价格
40: ¥1.508
63 对比

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