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DMN3016LSS-13  与  IRF7811AVPBF  区别

型号 DMN3016LSS-13 IRF7811AVPBF
唯样编号 A36-DMN3016LSS-13 A-IRF7811AVPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1415 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.3A(Ta) 11.8A
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1801pF @ 10V
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 43 ns
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) 3W
晶体管配置 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@12A,10V -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 8.6 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 5V
库存与单价
库存 1,497 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.474
100+ :  ¥1.133
1,250+ :  ¥0.9856
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 10.3A(Ta)

¥1.474 

阶梯数 价格
40: ¥1.474
100: ¥1.133
1,250: ¥0.9856
1,497 当前型号
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 12.5m Ohms@11A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 11A 8-SOIC

¥3.509 

阶梯数 价格
20: ¥3.509
100: ¥2.926
1,250: ¥2.651
2,500: ¥2.541
2,500 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
300: ¥2.4627
500: ¥2.3861
1,000: ¥2.3286
2,500 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
300: ¥2.4627
500: ¥2.3861
1,000: ¥2.3286
2,020 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.5698
1,686 对比
IRF8707PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V SO-8 17.5mΩ N-Channel 20V 9.1A

暂无价格 0 对比

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