DMN3016LSS-13 与 RS3E135BNGZETB 区别
| 型号 | DMN3016LSS-13 | RS3E135BNGZETB | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN3016LSS-13 | A33-RS3E135BNGZETB-0 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 14.6mΩ@9.5A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W(Ta) | 2W(Tc) | ||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 12mΩ@12A,10V | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1415 pF @ 15 V | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 25.1 nC @ 10 V | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10.3A(Ta) | 9.5A(Ta) | ||||||||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 680pF @ 15V | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.3nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 81 | 2,500 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN3016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 10.3A(Ta) |
￥1.441
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81 | 当前型号 | ||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
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2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4410DYPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 10A 14mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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