DMN3025LSS-13 与 FDS8884 区别
| 型号 | DMN3025LSS-13 | FDS8884 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN3025LSS-13-0 | A-FDS8884 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | N-Channel 30 V 23 mOhm 13 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 23m Ohms@8.5A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 2.5W(Ta) | ||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@10A,10V | - | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 641 pF @ 15 V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 13.2 nC @ 10 V | - | ||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 7.2A(Ta) | 8.5A | ||
| 系列 | - | PowerTrench® | ||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 635pF @ 15V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 4,987 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.2A(Ta) |
￥0.5564
|
4,987 | 当前型号 | ||||
|
IRF7403TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4A,10V N-Channel 30V 8.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
FDS8884 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23m Ohms@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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