DMN3065LW-13 与 DMN3065LW-7 区别
| 型号 | DMN3065LW-13 | DMN3065LW-7 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN3065LW-13 | A-DMN3065LW-7 | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A(Ta) | 4A(Ta) | ||||||||||
| 驱动电压 | 2.5V,10V | 2.5V,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 770mW(Ta) | 770mW(Ta) | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 52mΩ@4A,10V | 52mΩ@4A,10V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 465 pF @ 15 V | 465 pF @ 15 V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 11.7 nC @ 10 V | 11.7 nC @ 10 V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 10,387 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMN3065LW-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±12V SOT-323 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
￥1.0318
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10,387 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN2058UW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 500mW(Ta) ±12V SOT-323 -55°C~150°C(TJ) 20V 3.5A(Ta) |
￥0.5984
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24,923 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3065LW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±12V SOT-323 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
￥0.7513
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1,434 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3065LW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±12V SOT-323 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3065LW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±12V SOT-323 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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