DMN4040SK3-13 与 NVD5117PLT4G-VF01 区别
| 型号 | DMN4040SK3-13 | NVD5117PLT4G-VF01 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN4040SK3-13 | A-NVD5117PLT4G-VF01 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 1.71W(Ta) | - | ||
| 漏源极电压Vds | 40V | - | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@12A,10V | - | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 945 pF @ 20 V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 18.6 nC @ 10 V | - | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO252 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 6A(Ta) | - | ||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 99 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN4040SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.71W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 40V 6A(Ta) |
￥2.256
|
99 | 当前型号 | ||||
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IRLR2703TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@14A,10V N-Channel 30V 23A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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