DMN4800LSSQ-13 与 RXH125N03TB1 区别
| 型号 | DMN4800LSSQ-13 | RXH125N03TB1 | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN4800LSSQ-13 | A33-RXH125N03TB1-0 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 12mΩ@12.5A,10V | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.46W(Ta) | 2W(Ta) | ||||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 14mΩ@9A,10V | - | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 798 pF @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 8.7 nC @ 5 V | - | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.6A(Ta) | 12.5A(Ta) | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V | ||||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1000pF @ 10V | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12.7nC @ 5V | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 3,848 | 1,152 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN4800LSSQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.46W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8.6A(Ta) 车规 |
￥1.441
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3,848 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥6.4969
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1,152 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥6.4969
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48 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4406AL | AOS | 功率MOSFET |
13A(Tc) N-Channel ±20V 11.5 mΩ @ 12A,10V 8-SOIC 3.1W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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