DMN6068SEQ-13 与 DMN6068SE-13 区别
| 型号 | DMN6068SEQ-13 | DMN6068SE-13 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN6068SEQ-13 | A36-DMN6068SE-13 | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R | N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 68mΩ@12A,10V | ||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta) | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-223 | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 5.6A | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 502pF @ 30V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.3nC @ 10V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,400 | 108 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN6068SEQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 |
￥1.639
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3,400 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
￥1.0989
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108 | 对比 | ||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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