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DMN61D8LQ-7  与  2N7002P,215  区别

型号 DMN61D8LQ-7 2N7002P,215
唯样编号 A36-DMN61D8LQ-7 A-2N7002P,215
制造商 Diodes Incorporated Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V SOT23 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 350mW(Ta)
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 车规 车规
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 0.47A 360mA(Ta)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) - 1.6Ω@500mA,10V
库存与单价
库存 6 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN61D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel 60V 0.47A 车规

暂无价格 6 当前型号
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 360mA(Ta) ±20V 350mW(Ta) 1.6Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

¥0.216 

阶梯数 价格
240: ¥0.216
1,500: ¥0.186
3,000: ¥0.165
86,182 对比
DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 390mW(Ta) 1.8Ω@150mA,5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.47A 车规

¥2.332 

阶梯数 价格
30: ¥2.332
100: ¥1.87
500: ¥1.705
982 对比
DMN61D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 390mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 470mA(Ta)

暂无价格 3 对比
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 360mA(Ta) ±20V 350mW(Ta) 1.6Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

暂无价格 0 对比
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 360mA(Ta) ±20V 350mW(Ta) 1.6Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

暂无价格 0 对比

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