DMN65D8LV-13 与 DMN65D8L-7 区别
| 型号 | DMN65D8LV-13 | DMN65D8L-7 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN65D8LV-13 | A36-DMN65D8L-7 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R | DMN65D8L: 60 V 3 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 370mW(Ta) | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-23 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.31A | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 22pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.87nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 5V,10V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 3Ω@115mA,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 9,849 | 40 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN65D8LV-13 | Diodes Incorporated | 通用MOSFET |
￥0.284
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9,849 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 9 | 对比 | ||||||||
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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