DMP3068L-7 与 NTR4171PT1G 区别
| 型号 | DMP3068L-7 | NTR4171PT1G | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP3068L-7 | A36-NTR4171PT1G | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | 30V, 3.9A, 72MOHM, P-CH, SOT-23 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 宽度 | - | 1.3 mm | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 72m Ohms@4.2A,10V | 75mΩ@2.2A,10V | ||||||
| 正向跨导-最小值 | - | 7 S | ||||||
| 上升时间 | - | 16 ns | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V | ||||||
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.3A | 2.2A(Ta) | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 长度 | - | 2.9 mm | ||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.8V,10V | 2.5V,10V | ||||||
| 下降时间 | - | 22 ns | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 720pF @ 15V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 1.4V @ 250µA | ||||||
| 高度 | - | 0.94 mm | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 700mW(Ta) | 480mW(Ta) | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 32 ns | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||
| 系列 | - | NTR4171P | ||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 708pF @ 15V | 720pF @ 15V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15.9nC @ 10V | 15.6nC @ 10V | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9 ns | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 15.6nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 148 | 434 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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DMP3068L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 3.3A(Ta) ±12V 700mW(Ta) 72m Ohms@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 30V 3.3A |
¥0.5984
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148 | 当前型号 | ||||||
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NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
¥0.7843
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434 | 对比 | ||||||
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DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 77mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |