DMP3160L-7 与 AO3409 区别
| 型号 | DMP3160L-7 | AO3409 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP3160L-7-1 | A36-AO3409-1 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 26 | ||
| 宽度 | 1.3mm | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 122mΩ | 110mΩ@-2.6A,-10V | ||
| 上升时间 | 7.3ns | - | ||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 180mΩ | ||
| Qg-栅极电荷 | 8.2nC | - | ||
| Qgd(nC) | - | 1.1 | ||
| 栅极电压Vgs | 1.3V | ±20V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 5.9S | - | ||
| Td(on)(ns) | - | 7.5 | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 2.7A | -2.6A | ||
| 配置 | Single | - | ||
| Ciss(pF) | - | 197 | ||
| 长度 | 2.9mm | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||
| 下降时间 | 13.4ns | - | ||
| 高度 | 1mm | - | ||
| Trr(ns) | - | 11.3 | ||
| Td(off)(ns) | - | 11.8 | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.08W | 1.4W | ||
| Qrr(nC) | - | 4.4 | ||
| VGS(th) | - | -2.4 | ||
| 典型关闭延迟时间 | 22.5ns | - | ||
| FET类型 | - | P-Channel | ||
| 系列 | DMP31 | - | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 227pF @ 10V | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 4.8ns | - | ||
| Coss(pF) | - | 42 | ||
| Qg*(nC) | - | 2.2 | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 9 | 286 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V |
暂无价格 | 9 | 当前型号 | ||||||||||
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FDN352AP | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A |
￥0.9174
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6,704 | 对比 | ||||||||||
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AO3409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.5544
|
2,832 | 对比 | ||||||||||
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FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.5A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 30V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.375
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2,206 | 对比 | |||||||||||
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AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.6765
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756 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO3409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.3606
|
286 | 对比 |
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