DMP3160L-7 与 FDN358P 区别
| 型号 | DMP3160L-7 | FDN358P | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMP3160L-7 | A36-FDN358P | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23 | Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 宽度 | 1.3mm | - | ||||||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 122mΩ | 125 毫欧 @ 1.5A,10V | ||||||||||||||
| 上升时间 | 7.3ns | - | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 8.2nC | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.3V | ±20V | ||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 5.9S | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SuperSOT | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.7A | 1.5A | ||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||
| 长度 | 2.9mm | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||||||
| 下降时间 | 13.4ns | - | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 182pF @ 15V | ||||||||||||||
| 高度 | 1mm | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.08W | 500mW(Ta) | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 22.5ns | - | ||||||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||||||
| 系列 | DMP31 | PowerTrench® | ||||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 227pF @ 10V | 182pF @ 15V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 10V | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 4.8ns | - | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 7,382 | 2,206 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V |
￥0.4979
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7,382 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.5632
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17,832 | 对比 | ||||||||||
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FDN352AP | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A |
￥0.9174
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6,816 | 对比 | ||||||||||
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FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.5A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 30V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.375
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2,206 | 对比 | |||||||||||
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AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.6765
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756 | 对比 | ||||||||||
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AO3409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.3657
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286 | 对比 |
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