DMS3015SSS-13 与 AO4468 区别
| 型号 | DMS3015SSS-13 | AO4468 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMS3015SSS-13 | A36-AO4468 | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Crss(pF) | - | 82 | ||||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 17mΩ@10.5A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 23mΩ | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.55W(Ta) | 3.1W | ||||||||||||
| Qrr(nC) | - | 9 | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 11.9mΩ@11A,10V | - | ||||||||||||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||||||||||||
| Qgd(nC) | - | 3 | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1276 pF @ 15 V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 30.6 nC @ 10 V | - | ||||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 11A(Ta) | 10.5A | ||||||||||||
| Ciss(pF) | - | 740 | ||||||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||||||
| Trr(ns) | - | 18 | ||||||||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||||||||
| Qg*(nC) | - | 7.5 | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,288 | 22,976 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.55W(Ta) ±12V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 11A(Ta) |
¥1.2155
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3,288 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
¥0.8448
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22,976 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
¥4.9733
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1,142 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
¥0.6128
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269 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
¥4.9733
|
48 | 对比 |