DMT6016LSS-13 与 IRF7469PBF 区别
| 型号 | DMT6016LSS-13 | IRF7469PBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMT6016LSS-13 | A-IRF7469PBF | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ | 17mΩ@9A,10V | ||||||
| 上升时间 | 5.2ns | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 40V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W | 2.5W(Ta) | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 17nC | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 1V | ±20V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 13ns | - | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SO | 8-SO | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 9.2A | 9A | ||||||
| 系列 | DMT60 | - | ||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||
| 配置 | Single | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 864pF @ 30V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 17nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||
| 下降时间 | 7ns | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 3.4ns | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2000pF @ 20V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 23nC @ 4.5V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,050 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 9.2A 2.1W 18mΩ 60V 1V |
￥2.046
|
2,050 | 当前型号 | ||||||||
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IRF7469PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
17mΩ@9A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
IRF7470PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 10A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF7469TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 17mΩ@9A,10V N-Channel 40V 9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF7478TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@4.2A,10V N-Channel 60V 7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF7478PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
26mΩ@4.2A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 60V 7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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