ERJ-8GEY0R00V 与 SI4825DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | ERJ-8GEY0R00V | SI4825DDY-T1-GE3 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ERJ-8GEY0R00V | A-SI4825DDY-T1-GE3 | ||||||
| 制造商 | Panasonic | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | Si4825DDY Series P-Channel 30 V 12.5 mOhm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 2.7W(Ta),5W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±25V | ||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | - | SOIC-8 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 10.9A | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2550pF @ 15V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 86nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 12.5mΩ | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 4,689 | 10 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ERJ-8GEY0R00V | Panasonic | 未分类 |
￥0.4966
|
4,689 | 当前型号 | ||||||||||
|
CRCW12060000Z0EA | Vishay | 数据手册 | 贴片电阻 |
1/4W 1206 0 Ohms 车规-厚膜 |
暂无价格 | 196 | 对比 | ||||||||
|
SI4825DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 14.9A(Tc) ±25V 2.7W(Ta),5W(Tc) 12.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 10.9A 12.5mΩ |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||||
|
|
CRCW12060000Z0EA | Vishay | 数据手册 | 贴片电阻 |
1/4W 1206 0 Ohms 车规-厚膜 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
CRCW12060000Z0EA | Vishay | 数据手册 | 贴片电阻 |
1/4W 1206 0 Ohms 车规-厚膜 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
CRCW12060000Z0EA | Vishay | 数据手册 | 贴片电阻 |
1/4W 1206 0 Ohms 车规-厚膜 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
