FDC604P 与 SI3443DDV-T1-GE3 区别
| 型号 | FDC604P | SI3443DDV-T1-GE3 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDC604P | A3t-SI3443DDV-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | P-Channel 20 V 33 mohm 1.8V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6 | Si3443DDV Series 20 V 0.047 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - TSOP-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 47mΩ@4.5A,4.5V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SuperSOT-6 | TSOP | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A | ||||||||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 970pF @ 10V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 8V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDC604P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
￥1.562
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO6409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -20V 8V -5.5A 2.1W 41mΩ@4.5V |
￥1.969
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128 | 对比 | ||||||||||||
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RTQ035P02TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO6409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -20V 8V -5.5A 2.1W 41mΩ@4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI3443DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 47mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOP P-Channel 20V 4A |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||
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SI3443DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 47mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOP P-Channel 20V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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