FDMS86163P 与 SIR871DP-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMS86163P | SIR871DP-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDMS86163P | A3t-SIR871DP-T1-GE3 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | Single P-Channel 100 V 104 W 59 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率 | - | 89W(Tc) | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 20 毫欧 @ 20A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | PQFN-8(4.9x5.8) | PowerPAK® SO-8 | ||
| 连续漏极电流Id | - | 48A(Tc) | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.6V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3395pF @ 50V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 90nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 12 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDMS86163P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
PQFN-8(4.9x5.8) |
￥7.161
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12 | 当前型号 | ||||
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SIR871DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 100V 48A(Tc) ±20V 20 毫欧 @ 20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 14 | 对比 | ||||
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SIR871DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 100V 48A(Tc) ±20V 20 毫欧 @ 20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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